专注碳化硅 (SiC) 外延片研发与生产13年
全球碳化硅外延片主要生产商
提供4寸、6寸外延晶片制作(600V~3300V)功率器件包括SBD 、JBS、PiN、MOSFET、 JFET 、BJT 、GTO、 IGBT等。
碳化硅外延晶片
提供4寸、6寸外延晶片制作(600V~3300V)功率器件包括SBD 、JBS、MOSFET、 IGBT等。
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Specification-150 mm SiC Epitaxial Wafer-High Grade.pdf